SiC—MESFET器件的夹断电压 王守国1 2，张义门1，张玉明1，张志勇2，阎军锋2 (1．西安电子科技大学微电子研究所，陕西西安 710071；2．西北大学电子科学系，陕西西安 710069)  全文: PDF   摘要： 关键词： 碳化硅；夹断电压；界面态 发表年限: 2003年 发表期号: 第1期